Введен в действие
Постановлением Госстандарта РФ
от 11 апреля 2001 г. N 172-ст
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ
ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ
Power semiconductor modules.
General specifications
ГОСТ 30617-98
Группа Е65
МКС 31 080 99
ОКП 34 1700
Предисловие
1. Разработан Украинским научно-исследовательским институтом силовой электроники "Преобразователь" (НИИ "Преобразователь").
Внесен Комитетом Украины по стандартизации, метрологии и сертификации.
2. Принят Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (Протокол N 14 от 12 ноября 1998 г.).
За принятие проголосовали:
---------------------------T--------------------------------------¬
¦ Наименование государства ¦ Наименование национального ¦
¦ ¦ органа по стандартизации ¦
+--------------------------+--------------------------------------+
¦Азербайджанская Республика¦Азгосстандарт ¦
¦Республика Армения ¦Армгосстандарт ¦
¦Республика Беларусь ¦Госстандарт Республики Беларусь ¦
¦Республика Казахстан ¦Госстандарт Республики Казахстан ¦
¦Республика Молдова ¦Молдовастандарт ¦
¦Российская Федерация ¦Госстандарт России ¦
¦Республика Таджикистан ¦Таджикгосстандарт ¦
¦Туркменистан ¦Главгосинспекция "Туркменстандартлары"¦
¦Республика Узбекистан ¦Узгосстандарт ¦
¦Украина ¦Госстандарт Украины ¦
L--------------------------+---------------------------------------
3. Постановлением Государственного комитета Российской Федерации по стандартизации и метрологии от 11 апреля 2001 г. N 172-ст межгосударственный стандарт ГОСТ 30617-98 введен в действие непосредственно в качестве государственного стандарта Российской Федерации с 1 июля 2002 г.
4. Взамен ГОСТ 20859.1-89 в части модулей.
1. Область применения
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения (далее - модули), состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов (далее - приборов) на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули.
Требования разделов 5, 6, 7 настоящего стандарта являются обязательными, требования остальных разделов являются рекомендуемыми.
2. Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 12.1.004-91 Система стандартов безопасности труда. Пожарная безопасность. Общие требования
ГОСТ 12.2.007.0-75 Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности
ГОСТ 20.39.312-85 Комплексная система общих технических требований. Изделия электротехнические. Требования надежности
ГОСТ 20.57.406-81 Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний
ГОСТ 8032-84 Предпочтительные числа и ряды предпочтительных чисел
ГОСТ 14192-96 Маркировка грузов
ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
ГОСТ 15150-69 Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды
ГОСТ 15543.1-89 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к климатическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 17516.1-90 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к механическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 18620-86 Изделия электротехнические. Маркировка
ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 23216-78 Изделия электротехнические. Хранение, транспортирование, временная противокоррозионная защита, упаковка. Общие требования и методы испытаний
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
ГОСТ 24566-86 Соединители плоские втычные. Основные размеры, технические требования и методы испытаний
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
СТ СЭВ 1657-79 Приборы полупроводниковые силовые. Охладители воздушных систем охлаждения. Габаритные и присоединительные размеры
3. Определения
В настоящем стандарте применены термины с соответствующими определениями по ГОСТ 15133, ГОСТ 19095; ГОСТ 20003, ГОСТ 20332, ГОСТ 25529, а также приведенные ниже:
мостовая схема: Двухпутевая схема соединения, содержащая только пары плечей, средние выводы которых являются выводами переменного тока, а наружные выводы с одинаковой полярностью, соединенные вместе, являются выводами постоянного тока;
полупроводниковый модуль (модуль): Совокупность двух или более структур полупроводниковых приборов, средств электрического и механического соединений, а также вспомогательных элементов системы охлаждения, при ее наличии, соединенных между собой по определенной схеме в единую конструкцию, которая с точки зрения функционального назначения, технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации рассматривается как отдельное изделие;
беспотенциальный модуль: Модуль с изолированным (беспотенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля;
потенциальный модуль: Модуль с неизолированным (потенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля и являющимся электрическим (силовым) контактом.
4. Классификация
4.1. Модули подразделяют на виды:
- МП - модуль потенциальный;
- М - модуль беспотенциальный.
4.2. Модули подразделяют в зависимости от вида применяемых силовых полупроводниковых приборов и от вида схемы соединения силовых полупроводниковых приборов. Виды силовых полупроводниковых приборов (далее - приборов) и их обозначения приведены в таблице 1. Виды схем соединения приборов (далее - схем) и их обозначения приведены в таблице 2.
Таблица 1
---------------------------------------------------T-------------¬
¦ Вид прибора ¦ Обозначение ¦
¦ ¦ прибора ¦
+--------------------------------------------------+-------------+
¦ Выпрямительный диод (диод) ¦ Д ¦
¦ Быстровосстанавливающийся диод ¦ ДЧ ¦
¦ Лавинный выпрямительный диод (лавинный диод) ¦ ДЛ ¦
¦ Триодный тиристор, не проводящий в обратном ¦ Т ¦
¦направлении (тиристор) ¦ ¦
¦ Тиристор быстродействующий ¦ ТБ ¦
¦ Тиристор быстровключающийся ¦ ТИ ¦
¦ Тиристор быстровыключающийся ¦ ТЧ ¦
¦ Триодный тиристор, проводящий в обратном ¦ ТОП ¦
¦направлении (тиристор, проводящий в обратном ¦ ¦
¦направлении, или тиристор-диод) ¦ ¦
¦ Симметричный триодный тиристор (триак) ¦ ТС ¦
¦ Асимметричный триодный тиристор ¦ ТА ¦
¦ Лавинный тиристор ¦ ТЛ ¦
¦ Запираемый тиристор ¦ ТЗ ¦
¦ Запираемый тиристор асимметричный ¦ ТЗА ¦
¦ Запираемый тиристор с обратным диодом ¦ ТЗД ¦
¦ Оптронный тиристор ¦ ТО ¦
¦ Симметричный оптотиристор (оптотриак) ¦ ТСО ¦
¦ Биполярный транзистор ¦ ТК ¦
¦ Биполярный составной транзистор (транзистор ¦ ТКД ¦
¦Дарлингтона) ¦ ¦
¦ Биполярный транзистор с изолированным затвором ¦ ТКИ ¦
¦ Полевой транзистор ¦ ТКП ¦
Для просмотра документа целиком скачайте его >>>
