RuNormy.RU
Untitled Page
RuNormy.RU
Untitled Page
"ГОСТ 30617-98. Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия"
Скачать текст бесплатно в формате MS Word
Поделитесь данным материалом с друзьями:

Скачать
Введен в действие
Постановлением Госстандарта РФ
от 11 апреля 2001 г. N 172-ст

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ

ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ

Power semiconductor modules.
General specifications

ГОСТ 30617-98

Группа Е65

МКС 31 080 99

ОКП 34 1700

Предисловие

1. Разработан Украинским научно-исследовательским институтом силовой электроники "Преобразователь" (НИИ "Преобразователь").
Внесен Комитетом Украины по стандартизации, метрологии и сертификации.
2. Принят Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (Протокол N 14 от 12 ноября 1998 г.).
За принятие проголосовали:

---------------------------T--------------------------------------¬
¦ Наименование государства ¦      Наименование национального      ¦
¦                          ¦       органа по стандартизации       ¦
+--------------------------+--------------------------------------+
¦Азербайджанская Республика¦Азгосстандарт                         ¦
¦Республика Армения        ¦Армгосстандарт                        ¦
¦Республика Беларусь       ¦Госстандарт Республики Беларусь       ¦
¦Республика Казахстан      ¦Госстандарт Республики Казахстан      ¦
¦Республика Молдова        ¦Молдовастандарт                       ¦
¦Российская Федерация      ¦Госстандарт России                    ¦
¦Республика Таджикистан    ¦Таджикгосстандарт                     ¦
¦Туркменистан              ¦Главгосинспекция "Туркменстандартлары"¦
¦Республика Узбекистан     ¦Узгосстандарт                         ¦
¦Украина                   ¦Госстандарт Украины                   ¦
L--------------------------+---------------------------------------

3. Постановлением Государственного комитета Российской Федерации по стандартизации и метрологии от 11 апреля 2001 г. N 172-ст межгосударственный стандарт ГОСТ 30617-98 введен в действие непосредственно в качестве государственного стандарта Российской Федерации с 1 июля 2002 г.
4. Взамен ГОСТ 20859.1-89 в части модулей.

1. Область применения

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения (далее - модули), состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов (далее - приборов) на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули.
Требования разделов 5, 6, 7 настоящего стандарта являются обязательными, требования остальных разделов являются рекомендуемыми.

2. Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 12.1.004-91 Система стандартов безопасности труда. Пожарная безопасность. Общие требования
ГОСТ 12.2.007.0-75 Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности
ГОСТ 20.39.312-85 Комплексная система общих технических требований. Изделия электротехнические. Требования надежности
ГОСТ 20.57.406-81 Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний
ГОСТ 8032-84 Предпочтительные числа и ряды предпочтительных чисел
ГОСТ 14192-96 Маркировка грузов
ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
ГОСТ 15150-69 Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды
ГОСТ 15543.1-89 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к климатическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 17516.1-90 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к механическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 18620-86 Изделия электротехнические. Маркировка
ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 23216-78 Изделия электротехнические. Хранение, транспортирование, временная противокоррозионная защита, упаковка. Общие требования и методы испытаний
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
ГОСТ 24566-86 Соединители плоские втычные. Основные размеры, технические требования и методы испытаний
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
СТ СЭВ 1657-79 Приборы полупроводниковые силовые. Охладители воздушных систем охлаждения. Габаритные и присоединительные размеры

3. Определения

В настоящем стандарте применены термины с соответствующими определениями по ГОСТ 15133, ГОСТ 19095; ГОСТ 20003, ГОСТ 20332, ГОСТ 25529, а также приведенные ниже:
мостовая схема: Двухпутевая схема соединения, содержащая только пары плечей, средние выводы которых являются выводами переменного тока, а наружные выводы с одинаковой полярностью, соединенные вместе, являются выводами постоянного тока;
полупроводниковый модуль (модуль): Совокупность двух или более структур полупроводниковых приборов, средств электрического и механического соединений, а также вспомогательных элементов системы охлаждения, при ее наличии, соединенных между собой по определенной схеме в единую конструкцию, которая с точки зрения функционального назначения, технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации рассматривается как отдельное изделие;
беспотенциальный модуль: Модуль с изолированным (беспотенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля;
потенциальный модуль: Модуль с неизолированным (потенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля и являющимся электрическим (силовым) контактом.

4. Классификация

4.1. Модули подразделяют на виды:
- МП - модуль потенциальный;
- М - модуль беспотенциальный.
4.2. Модули подразделяют в зависимости от вида применяемых силовых полупроводниковых приборов и от вида схемы соединения силовых полупроводниковых приборов. Виды силовых полупроводниковых приборов (далее - приборов) и их обозначения приведены в таблице 1. Виды схем соединения приборов (далее - схем) и их обозначения приведены в таблице 2.

Таблица 1

---------------------------------------------------T-------------¬
¦                       Вид прибора                ¦ Обозначение ¦
¦                                                  ¦   прибора   ¦
+--------------------------------------------------+-------------+
¦ Выпрямительный диод (диод)                       ¦     Д       ¦
¦ Быстровосстанавливающийся диод                   ¦     ДЧ      ¦
¦ Лавинный выпрямительный диод (лавинный диод)     ¦     ДЛ      ¦
¦ Триодный тиристор, не проводящий в обратном      ¦     Т       ¦
¦направлении (тиристор)                            ¦             ¦
¦ Тиристор быстродействующий                       ¦     ТБ      ¦
¦ Тиристор быстровключающийся                      ¦     ТИ      ¦
¦ Тиристор быстровыключающийся                     ¦     ТЧ      ¦
¦ Триодный тиристор, проводящий в обратном         ¦     ТОП     ¦
¦направлении (тиристор, проводящий в обратном      ¦             ¦
¦направлении, или тиристор-диод)                   ¦             ¦
¦ Симметричный триодный тиристор (триак)           ¦     ТС      ¦
¦ Асимметричный триодный тиристор                  ¦     ТА      ¦
¦ Лавинный тиристор                                ¦     ТЛ      ¦
¦ Запираемый тиристор                              ¦     ТЗ      ¦
¦ Запираемый тиристор асимметричный                ¦     ТЗА     ¦
¦ Запираемый тиристор с обратным диодом            ¦     ТЗД     ¦
¦ Оптронный тиристор                               ¦     ТО      ¦
¦ Симметричный оптотиристор (оптотриак)            ¦     ТСО     ¦
¦ Биполярный транзистор                            ¦     ТК      ¦
¦ Биполярный составной транзистор (транзистор      ¦     ТКД     ¦
¦Дарлингтона)                                      ¦             ¦
¦ Биполярный транзистор с изолированным затвором   ¦     ТКИ     ¦
¦ Полевой транзистор                               ¦     ТКП     ¦
Для просмотра документа целиком скачайте его >>>
Нормы из информационного банка "Строительство":
Пожарные нормы:
ГОСТы:
Счетчики:
Политика конфиденциальности
Copyright 2020 - 2022 гг. RuNormy.RU. All rights reserved.
При использовании материалов сайта активная гипер ссылка  обязательна!