Утвержден и введен в действие
Приказом Федерального агентства
по техническому регулированию
и метрологии
от 27 февраля 2017 г. N 74-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ И ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
МЕТОДЫ УСКОРЕННЫХ ИСПЫТАНИЙ НА БЕЗОТКАЗНОСТЬ
Integrated circuits and semiconductor devices. Methods
of accelerated tests for no-failure operation
ГОСТ Р 57394-2017
ОКС 31.080.01
31.200
Дата введения
1 января 2018 года
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") при участии Федерального государственного унитарного предприятия "Мытищинский научно-исследовательский институт радиоизмерительных приборов" (ФГУП "МНИИРИП"), Акционерного общества "Центральное конструкторское бюро "ЦКБ "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон"), Акционерного общества "Росэлектроника" (АО "Росэлектроника")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Изделия электронной техники, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 27 февраля 2017 г. N 74-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru).
Введение
Настоящий стандарт устанавливает методы ускоренных испытаний на безотказность полупроводниковых интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, предусматривающие форсирование режимов эксплуатации.
Методы могут быть применены для многокристальных модулей и микросборок.
Методы ускоренных испытаний на безотказность используют:
- при проведении кратковременных и длительных испытаний на безотказность (в составе приемо-сдаточных и периодических испытаний);
- при испытаниях дополнительной выборки, проводимых при получении одного отказа на кратковременных испытаниях на безотказность;
- при проведении новых испытаний;
- при испытаниях, проводимых для подтверждения эффективности специальной программы перепроверки изделий, возвращенных изготовителю при отрицательных результатах испытаний, а также находящихся в производстве до реализации плана мероприятий;
- для оценки эффективности изменений, вносимых в конструкторскую или технологическую документацию (при проведении типовых испытаний);
- подготовке справочных данных об интенсивности отказов.
Методы ускоренных испытаний на безотказность могут быть использованы на этапе приемки опытных образцов (если это установлено в техническом задании) и испытаниях установочной серии изделий, при проведении испытаний на безотказность в составе квалификационных испытаний, если режим ускоренных испытаний на безотказность был ранее отработан и утвержден для изделий, находящихся в производстве и являющихся конструктивно-технологическими аналогами новых изделий (при сравнительной оценке надежности при совместных испытаниях с изделием-аналогом).
Методы ускоренных испытаний на безотказность могут быть использованы при входном контроле потребителем.
Методы ускоренных испытаний на безотказность могут быть использованы также для определения облегченного режима испытаний и наработки в облегченном режиме.
Для большинства механизмов отказов повышение температуры кристалла (перехода) являются ускоряющим фактором. В этом случае коэффициент ускорения рассчитывается по модели Аррениуса. Настоящий стандарт при форсировании испытаний за счет температуры среды (корпуса) опирается только на модель Аррениуса и не рассматривает модели отказов, использующих температуру в качестве ускоряющего фактора, но отличных от модели Аррениуса (например, для микросхем в матричных корпусах с шариковыми выводами, для которых превалирующим механизмом отказа является деградация не кристалла, а контакта шарик - контактная площадка).
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает методы ускоренных испытаний на безотказность полупроводниковых интегральных микросхем и полупроводниковых приборов (далее - изделий), предусматривающие форсирование режимов эксплуатации.
Настоящий стандарт предназначен для применения организациями, разрабатывающими, изготавливающими и поставляющими изделия.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 20.57.406 Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний
ГОСТ 27.002 Надежность в технике. Термины и определения
ГОСТ 16504 Система государственных испытаний продукции. Испытания и контроль качества продукции. Основные термины и определения
ГОСТ 18725 Микросхемы интегральные. Общие технические условия
Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю "Национальные стандарты", который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты" за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.
3 Термины, определения и сокращения
3.1 В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 27.002, ГОСТ 16504, а также следующие термины с соответствующими определениями:
3.1.1 новые испытания: Испытания вновь изготовленных изделий после проведения мероприятий по устранению причин возникновения дефектов.
3.1.2 отбраковочные испытания: Испытания, выполняемые на стадии производства в целях выявления и изъятия дефектных изделий.
3.1.3 коэффициент ускорения: Отношение продолжительности нормальных испытаний на безотказность к продолжительности аналогичных испытаний в форсированном режиме.
3.1.4 ускоряющий фактор: Параметр режима, увеличение которого приводит к интенсификации процессов, способных вызывать отказ.
3.1.5 область допустимого форсирования: Совокупность максимально возможных режимов ускоренных испытаний на безотказность (температура, ток, напряжение), при которых еще выполняется требование об отсутствии отказов по нормам ТУ.
3.1.6 параметр - критерий годности: Параметр изделия, контролируемый при проведении испытаний конкретных видов, по значению или изменению значения которого изделие считают годным или дефектным.
3.1.7 представительство заказчика: Представительство Министерства обороны Российской Федерации или представительство другого государственного заказчика оборонной продукции на предприятии (в организации).
3.2 В настоящем стандарте приняты следующие сокращения:
БИС - большая интегральная микросхема;
ДИБ - длительные испытания на безотказность;
И2Л - интегральная инжекционная логика (структура);
КИБ - кратковременные испытания на безотказность;
КМОП - комплементарный металл-оксид-полупроводник (структура);
КТЗ - конструктивно-технологические запасы;
МДП - металл-диэлектрик-полупроводник (структура);
МОП - металл-оксид-полупроводник (структура);
ОДФ - область допустимого форсирования;
ОИ - отбраковочные испытания;
ПЗ - представительство заказчика;
ПЗС - прибор с зарядовой связью;
ПЗУ - постоянное запоминающее устройство;
ПКГ - параметр-критерий годности;
ППЗУ - программируемое постоянное запоминающее устройство;
ПУКИБ - УКИБ по проверке форсированного режима;
РПЗУ - репрограммируемое постоянное запоминающее устройство;
СБИС - сверхбольшая интегральная микросхема;
ТТЛ - транзисторно-транзисторная логика (структура);
ТУ - технические условия на изделия конкретных типов;
УИБ - ускоренные испытания на безотказность;
УДИБ - ускоренные длительные испытания на безотказность;
УКИБ - ускоренные кратковременные испытания на безотказность;
ЭСЛ - эмиттерно-связанная логика (структура);
p-МОП - металл-оксид-полупроводник с каналом проводимости p-типа (структура);
n-МОП - металл-оксид-полупроводник с каналом проводимости n-типа (структура);
P* - доверительная вероятность.
4 Общие положения
4.1 Контрольные испытания на безотказность включают в себя кратковременные и длительные испытания на безотказность.
КИБ проводят с целью контроля стабильности технологического процесса изготовления изделий и оценки соответствия показателя безотказности установленным требованиям на основе обобщения результатов испытаний.
ДИБ проводят с целью подтверждения показателя безотказности непосредственно по результатам испытаний или на основе обобщения результатов испытаний.
4.2 Контрольные испытания на безотказность проводят в виде нормальных или ускоренных испытаний.
4.3 УИБ предусматривают форсирование режимов испытаний, вызывающее интенсификацию физико-химических процессов, определяющих основные
Для просмотра документа целиком скачайте его >>>
