Утвержден и введен в действие
Приказом Федерального агентства
по техническому регулированию
и метрологии
от 4 апреля 2017 г. N 257-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols
of electrical parameters
ГОСТ Р 57441-2017
ОКС 01.040.01
31.200
Дата введения
1 августа 2017 года
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") и Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 257-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2018 г.
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение электрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений - отечественную или международную.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее - микросхемы).
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Параметры напряжения
1 напряжение питания; Uпi (UCCi): Напряжение i-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.
Примечание - i - порядковый номер источника питания.
2 напряжение питания в режиме хранения; Uп. хр (UCCS): Напряжение питания, необходимое для хранения информации.
3 напряжение питания в режиме ожидания; Uп. ож (UCCW): -
4 входное напряжение; Uвх (UI): -
5 входное напряжение низкого уровня; Uвх. н (UIL): Напряжение низкого уровня на входе микросхемы.
6 входное напряжение высокого уровня; Uвх. в (UIH): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.
7 входное пороговое напряжение; Uпор. вх (UIT): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
8 входное пороговое напряжение низкого уровня; Uпор. вх. н (UITL): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
9 входное пороговое напряжение высокого уровня; Uпор. вх. в (UITH): Наименьшее напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
10 напряжение сигнала стирания; Uст (UERA): Напряжение на выводе "Стирание", обеспечивающее удаление информации.
11 напряжение сигнала программирования; Uпр (UPR): Напряжение на выводе "Программирование", обеспечивающее изменение информации.
12 напряжение срабатывания; Uсрб (UITP): Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
13 напряжение отпускания; Uотп (UITN): Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
14 напряжение гистерезиса; Uгист (Uh): Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.
15 напряжение смещения нуля; Uсм (UIO): Постоянное напряжение, которое должно быть приложено к входу, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.
16 входное напряжение синфазное; Uсф. вх (UIC): Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают.
17 входное напряжение дифференциальное; Uдф. вх (UID): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.
18 входное напряжение ограничения; Uогр. вх (UIlim): Входное напряжение, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.
19 входное напряжение покоя; U0вх (UIQ): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.
20 выходное напряжение; Uвых. (UO): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.
21 выходное напряжение низкого уровня; Uвых. н (UOL): -
22 выходное напряжение высокого уровня; Uвых. в (UOH): -
23 напряжение низкого уровня в состоянии "Выключено"; Uвыкл. н (UOZL): Напряжение низкого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
24 напряжение высокого уровня в состоянии "Выключено"; Uвыкл. в (UOZH): Напряжение высокого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено"
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
25 выходное дифференциальное напряжение; Uдф. вых (UOD): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим выходами.
26 выходное напряжение покоя; U0вых (UOQ): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.
27 коммутируемое напряжение; Uком (US): Напряжение, подаваемое на коммутирующий элемент микросхемы.
28 опорное напряжение; Uоп (UREF): Постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения.
29 остаточное напряжение; Uост (UDS): Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирующем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.
30 напряжение шума; Uш (Un): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю.
31 напряжение автоматической регулировки усиления; UАРУ (UAGC): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.
32 напряжение задержки автоматической регулировки усиления; Uзд. АРУ (UAGCd): Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным.
33 напряжение изоляции; Uиз (UISO): Напряжение, которое может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ее электрическая прочность.
34 напряжение пульсаций источника питания; Uпл. п (Uccr): Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания микросхемы, при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.
35 падение напряжения; Uпд (UOI): Разность между входным и выходным напряжением микросхемы в заданном режиме.
36 минимальное падение напряжения; Uпд. мин (UOImin): Наименьшее значение падения напряжения в заданном режиме, при котором параметры микросхемы соответствуют установленным значениям.
37 нестабильность по напряжению; (dUU): Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения.
38 нестабильность по току; (dUI): Изменение выходного напряжения при изменении выходного тока.
Параметры тока
39 ток потребления; Iпот (ICC): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания.
40 ток потребления при выходном напряжении низкого уровня; Iпот. н (ICCL): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.
41 ток потребления при выходном напряжении высокого уровня; Iпот. в (ICCH): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении высокого уровня
42 ток потребления в состоянии "Выключено"; Iпот. выкл (ICCZ): Ток, потребляемый микросхемой в состоянии "Выключено" на выходе.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
43 динамический ток потребления; Iпот. дин (ICCO): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при переключении с заданной частотой.
44 ток потребления в режиме хранения; Iпот. хр (ICCS): Ток, потребляемый микросхемой в режиме хранения информации.
45 ток стирания; Iстр (IERA): Ток, протекающий в цепи вывода "Стирание" микросхемы.
46 входной ток; Iвх (II): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы в заданном режиме.
47 входной ток низкого уровня; Iвх. н (IIL): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня.
48 входной ток высокого уровня; Iвх. в (IIH): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня.
49 разность входных токов; (IIO): Разность значений токов, протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме.
50 входной пробивной ток; Iвх. прб (IIB): Входной ток при максимальном напряжении на входе микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме.
Для просмотра документа целиком скачайте его >>>
